Transistor 3D a 50GHz

11 12 2007

[Articolo tratto da unto-informatico]

Due istituti di ricerca asiatici, il giapponese Unisantis Electronics e il singaporiano Institute of Microelectronics (IME), stranno lavorando sulla produzione di un nuovo transistor,tale componente battezzato Surrounding Gate Transistor (SGT), adotta una struttura tridimensionale: in altre parole, i componenti sono ordinati in senso verticale invece che, come nei transistor tradizionali, in senso orizzontale.

L’adozione di una struttura 3D non è una novità nel settore dei transistor, ed anzi sta diventando una soluzione sempre più gettonata nello sviluppo di circuiti elettronici di nuova generazione, specie per le memorie non volatili.

L’SGT è un cilindro verticale in silicio attorniato da celle di memoria, contatti elettrici e altri componenti. La struttura 3D, riduce le distanze che gli elettroni devono percorrere all’interno del circuito: ciò consente di produrre circuiti più economici e in grado di generare meno calore di quelli tradizionali.

SGT consente anche di migliorare ulteriormente i semiconduttori basati sul silicio, sia in termini di dimensioni dei transistor che in termini di velocità di elaborazione, e questo almeno 30 anni prima del raggiungimento del limite teorico dei chip in silicio.

Maggiori informazioni su SGT vengono fornite in questa pagina del sito di Unisantis.

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